華為Mate60Pro搭載的麒麟9000S芯片，性能幾何？

2023-08-31 09:02:00 來(lái)源：面包芯語(yǔ)

第三代半導(dǎo)體技術(shù)與材料論壇將于2023年9月21-22日在廈門召開，詳見后文

華為智能手機(jī)業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人余承東在8月4日舉行的2023華為開發(fā)者大會(huì)上介紹更新后的操作系統(tǒng)時(shí)表示：“我們鴻蒙生態(tài)走過(guò)了這艱難的四年，我們克服了重重困難，回首望去，輕舟已過(guò)萬(wàn)重山，華為的旗艦手機(jī)也正走在回歸的道路上。”

(資料圖片)

8月29日，華為悄無(wú)聲息的扔下了一顆重磅炸彈，華為Mate 60 Pro手機(jī)直接上市銷售，并且?guī)е蠹谊P(guān)切的麒麟芯片回歸了，這是自美國(guó)制裁以來(lái)，華為在智能手機(jī)硬件方面的最重要的突破性舉動(dòng)。

華為Mate 60 Pro手機(jī)突發(fā)上市，引發(fā)巨大關(guān)注，人們的目光全部聚焦到搭載的這顆芯片及網(wǎng)絡(luò)制式上，華為真的突圍了?這是一部5G手機(jī)嗎？麒麟芯片是庫(kù)存還是新款？

華為官方渠道并未公布搭載了哪款芯片，系統(tǒng)也進(jìn)行了隱藏。而眾多用戶稱，使用華為Mate 60 Pro手機(jī)不顯示“5G”標(biāo)識(shí)，其基帶版本為21C50B717S000C000/21C50B717S000C000，和此前麒麟芯片的命名規(guī)則一致。根據(jù)速度測(cè)試，搭載4G芯片的華為Mate X3下載速度為100Mbps，iPhone 14 Pro 5G手機(jī)下載速度為500Mbps，令人驚喜的是，華為Mate 60 Pro手機(jī)測(cè)速顯示也在500Mbps水平，但我們也只能說(shuō)是速度類似5G，也有可能是速度更快的4G。

據(jù)B站UP主@先看評(píng)測(cè)視頻顯示，在要求運(yùn)營(yíng)商關(guān)閉所謂的5G SA服務(wù)后，華為Mate 60 Pro手機(jī)網(wǎng)絡(luò)信號(hào)處跳出4G標(biāo)識(shí)，而下行速度也降到了三分之一。說(shuō)明這妥妥就是一臺(tái)具備5G速度的手機(jī)。

拆機(jī)視頻顯示，華為Mate 60 Pro手機(jī)的核心SoC芯片顯露出來(lái)，絲印清晰顯示“HiSilicon”，海思半導(dǎo)體，它回來(lái)了。還有代表麒麟9000型號(hào)的“Hi36A0”（但麒麟9000s是不同于麒麟9000的一款新芯片），芯片上還有“2035-CN”標(biāo)識(shí)。不過(guò)，關(guān)于這顆麒麟芯片制程方面，還不得而知。

在性能方面，華為也帶來(lái)了驚喜。

安兔兔公布這款新機(jī)的跑分成績(jī)?yōu)?699783 分，該成績(jī)不包括GPU跑分，GPU 部分由于安兔兔還沒(méi)有適配，暫時(shí)還無(wú)法運(yùn)行測(cè)試。據(jù)安兔兔跑分?jǐn)?shù)據(jù)顯示，華為Mate60 Pro芯片型號(hào)為 Kirin 9000s，CPU采用了2+6+4的12核設(shè)計(jì)，其中包括兩顆 A34 核心，六顆A78AE核心，以及四顆A510核心，最高主頻2.62GHz；GPU 型號(hào)顯示為 Maleoon 910，采用12GB+512GB內(nèi)存，搭載 HarmonyOS4.0系統(tǒng)。安兔兔表示，這款手機(jī)搭載的處理器似乎是新的架構(gòu)，上述參數(shù)是以現(xiàn)階段能夠讀取到硬件信息，最終還是要以官方公布的參數(shù)為準(zhǔn)。

另外，根據(jù)Geekbench跑分平臺(tái)的數(shù)據(jù)信息顯示，華為Mate60 Pro所搭載的這顆芯片最高主頻為2.62GHz，這一數(shù)據(jù)與安兔兔平臺(tái)所公布的數(shù)據(jù)是一致的。單核跑分達(dá)到了914分，多核達(dá)到了2896分。這個(gè)跑分成績(jī)與驍龍888相差不大，單核成績(jī)略低于驍龍888，多核成績(jī)略高于驍龍888。

華為麒麟芯片的回歸，無(wú)疑是中國(guó)科技行業(yè)的一大喜事。經(jīng)歷了長(zhǎng)時(shí)間的努力，華為終于成功突破，這對(duì)于華為來(lái)說(shuō)，無(wú)疑是一份厚重的禮物。

來(lái)源：天天IC、新機(jī)報(bào)告等

以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體是戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的核心材料，在《“十四五”規(guī)劃和2035年遠(yuǎn)景目標(biāo)綱要》中被列為重點(diǎn)；碳中和與新能源體系變革的背景下，在風(fēng)電、光伏、新能源汽車、儲(chǔ)能等行業(yè)應(yīng)用前景廣闊。

據(jù)行業(yè)機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，到2026年，碳化硅產(chǎn)品市場(chǎng)將達(dá)35億美元，氮化鎵功率產(chǎn)品市場(chǎng)需求增長(zhǎng)到21億美元。近年來(lái)，國(guó)內(nèi)企業(yè)如三安、英諾賽科、士蘭明鎵等不斷布局氮化鎵項(xiàng)目，全產(chǎn)業(yè)鏈項(xiàng)目約26個(gè)，國(guó)外龍頭如英飛凌等也正積極布局。

在碳化硅功率器件市場(chǎng)，受益于特斯拉的應(yīng)用需求，意法半導(dǎo)體領(lǐng)先全球市場(chǎng)；Wolfspeed、安森美和羅姆等廠商跟隨。襯底、外延、芯片三個(gè)環(huán)節(jié)技術(shù)含量密集，是投資和創(chuàng)新重點(diǎn)。碳化硅6英寸襯底技術(shù)已經(jīng)穩(wěn)定導(dǎo)入產(chǎn)業(yè)，8英寸襯底正在探索商業(yè)化量產(chǎn)，其中尤以襯底大廠Wolfspeed推進(jìn)最為迅速，國(guó)內(nèi)企業(yè)在提供樣品或小規(guī)模供貨階段。

第三代半導(dǎo)體技術(shù)與材料論壇將于2023年9月21-22日在廈門召開。重點(diǎn)關(guān)注碳化硅、氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈前景，最新襯底、外延、器件技術(shù)與項(xiàng)目投資，碳化硅、氮化鎵長(zhǎng)晶技術(shù)，凈化工程與EPC，新興化合物半導(dǎo)體前沿技術(shù)與應(yīng)用。參觀第三代半導(dǎo)體重點(diǎn)企業(yè)與項(xiàng)目。

會(huì)議主題包括但不限于

國(guó)際形勢(shì)對(duì)中國(guó)第三代半導(dǎo)體發(fā)展的影響

第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)及產(chǎn)業(yè)發(fā)展機(jī)遇

6寸與8寸SiC項(xiàng)目投資與市場(chǎng)需求

SiC長(zhǎng)晶工藝技術(shù)與設(shè)備

凈化工程與EPC工程項(xiàng)目實(shí)踐

8英寸SiC國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程和技術(shù)突破

SiC市場(chǎng)以及技術(shù)發(fā)展難題&解決方案

SiC與GaN外延片技術(shù)進(jìn)展

大尺寸GaN長(zhǎng)晶難點(diǎn)及技術(shù)展望

GaN材料技術(shù)進(jìn)展

SiC與GaN器件與下游應(yīng)用